發展歷史
Development History
在江蘇省重大成果轉化項目（2007年）、國家自然科學基金委項目、科技部863項目和重點研發計劃、發改委產業化示範項目以及國家和省市各級領軍人才項目等的支持下，依托中科院蘇州納米所研究平臺，蘇州納維在氮化鎵單晶材料生長與產業化技術上持續深耕，取得系列創新突破，目前可以批量提供2~4英寸氮化鎵單晶標準襯底，並可以為客戶定制特定尺寸和規格的單晶襯底。
致力於氮化鎵單晶材料的生長技術和裝備研發，銳意進取，發展新方法、突破新技術，做全球氮化鎵單晶技術的引領者，做氮化鎵單晶襯底的最佳供應商，成長為對全球新壹代半導體技術有卓越貢獻的中國企業。
5×5mm²
Ø 2 inch位錯密度10⁶cm⁻²。
Ø 2 inch量產中試，位錯密度10⁵cm⁻²。
Ø 2 inch實現量產，Ø 4 inch樣品。 研發水平位錯密度10⁴cm⁻²。
Ø 4 inch量產技術，Ø 6inch關鍵技術。 研發水平位錯密度10³cm⁻²。
Ø 2 inch 規模量產，Ø 4 inch 小批量供貨，Ø 7 inch 樣品研發。 位錯密度：研發水平10³cm⁻²，量產水平10⁵cm⁻²。
Ø 2 inch 規模量產，Ø 4 inch 量產能力，Ø 6 inch 批量供貨，Ø 8 inch 量產技術 位錯密度：研發水平10²cm⁻²，量產水平10⁴cm⁻²。
Ø 2~8 inch量產技術 全面支撐：可見光激光器，先進微米LED，寬頻譜射頻器件，高效率電力電子，高可靠性功率器件，極低位錯密度電學性能領先。
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